Фотоприёмники лазерного излучения с λ=1.06 мкм / Маричев А.Е., Левин Р.В., Эполетов В.С., Пушный Б.В

Появление лазеров (оптических квантовых генераторов) способствовало становлению иинтенсивному развитию новых научных направлений и областей. Одним из таких направлений сталабеспроводная передача энергии по оптическому каналу (в атмосфере и по оптоволокну) с помощьюлазера.Была предложена энергетическая схема преобразователя мощного лазерного излученияпохожая на схему полупроводникового лазера на основе двойной гетероструктуры (ДГС), гдематериал активной области должен иметь прямую структуру зон и ширину запрещенной зоныблизкой к краю поглощения квантов излучения (Eg = 1.17 эВ, 300 К). Поглощающий слойрасполагается между слоями с электронной и дырочной проводимостями InP.[1]Было предложено использовать твёрдые растворы InGaAsP на подложках InP согласованных попараметрам кристаллической решетки с Eg=1.17 эВ. Эти твёрдые растворы находятся вблизи зоныспинодального распада и их изготовление представляет сложности. Был разработан методвыращивания таких растворов с толщиной более 1 мкм [2]. Структуры выращивались на установкеAIXTRON AIX-200 методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений наподложках InP, при температуре роста Тр=600ºС и давлении P=100 мбар.Одной из главных потерь в фотоэлектрических преобразователях лазерного излученияявляются потери на сопротивлении электрических контактов. Для уменьшения омических потерь дляp-типа InP с уровнем легирования до 1·1019, было решено использовать в качестве подконтактногослоя материал обладающий меньшей шириной запрещённой зоны [3]. Для этого были выполненыисследования по выращиванию подконтактных слоёв InGaAs, InPSb, InPAs с различным составом иуровнем легирования p = 5·1018 см-3. На выращенные слои были нанесены многослойные и Niконтакты. Измерение контактного сопротивления производилось двухзондовым методом междуплощадками с различным расстоянием между ними. Использование данной схемы, позволило внесколько раз уменьшить сопротивление омического контакта нанесённого на р-слой в сравнении сконтактом, нанесённым на p-InP p-типа с той же концентрацией носителей.