Open AccessИсследование начальных стадий роста эпитаксиальных слоев GaSb на подложке Si(001) / Лошкарев И.Д., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Путято М.А, Василенко А.П., Есин М.Ю., Васев А.В., Преображенский В.В.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-112
Subject(s) - materials science , gallium antimonide , band gap , optoelectronics , superlattice