z-logo
open-access-imgOpen Access
Транспортные свойства тонких плёнок Pb1-xSnxTe:In вблизи фазы ТКИ в зависимости от физико-химического состояния поверхности / Ищенко Д.В., Акимов А.Н., О.И. Ахундов И.О., Голяшов В.А., Климов А.Э., Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е. 1
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/semicond2019-106
Subject(s) - materials science , physics
Твёрдый раствор Pb1-xSnxTe:In интенсивно исследуется как фотоприёмники ИК диапазона, таки в связи с обнаружением в нём свойств кристаллического топологического изолятора вопределённом диапазоне составов (х > 0,25) [1]. Объектом изучения в настоящей работе являютсяэпитаксиальные слои Pb1-xSnxTe:In/BaF2(111) с составами вблизи инверсии зон (х ≈ 0,28 – 0,32), вкоторых при Т ≤ 20К наблюдается переход в высокоомное состояние [2], что позволяет наблюдатьтранспортные свойства поверхности. Проведеныисследования, направленные на установление влияниямодификации физико-химического состояния поверхностина электрофизические и фотоэлектрические свойстваструктур при химической обработке и отжигах. Измерялисьвольтамперные характеристики (ВАХ) образцов n и p-типапроводимости в темноте и при освещении в областисобственного поглощения. Состав поверхности измерялсяметодом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии(РФЭС).Обнаружена существенная трансформация ВАХ,фототока и его релаксационных зависимостей сразу послехимической обработки поверхности в раствореизопропилового спирта, насыщенного парами солянойкислоты (HCl-iPA). На ВАХ наблюдалось увеличение тока,для некоторых образцов до 102 -104 раз, с последующим восстановлением при экспозиции образцовна воздухе в течение нескольких суток. На рисунке приведено изменение тока сразу после травлениядля образцов разного типа проводимости, из которого видно, что относительное изменение тока былобольше для плёнок p-типа.РФЭ спектры показали, что после химической обработки происходит удаление собственныхоксидов. При этом поверхность покрывается элементным теллуром, оценка толщины которого даётзначение около 3 нм. В работе обсуждается полученные результаты с точки зрения измененияпространственного и энергетического распределения поверхностных состояний при очисткеповерхности от оксидов, а также появлением областей с металлической проводимостью наповерхности.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom