Формирования InAs островков на поверхности InP(001) при высокотемпературном отжиге в потоке мышьяка

Подложки InP(001) используют для создания гетероэпитаксиальных структур (ГЭС), на основекоторых изготавливают транзисторы с высокой подвижностью электронов, лазеры, электрооптическиемодуляторы и фотодиоды [1]. Рост гетероструктуры начинается с удаления аморфного окисного слояподложки. Обычно окисный слой на подложке InP удаляют высокотемпературным отжигом в потокеAs. Однако в процессе отжига происходит изменение элементного состава поверхности подложки собразование твердого раствора InPAs и островков InAs [2, 3]. Решеточное рассогласование между InPи InAs приводит к возникновению напряжений и центрам зарождения дефектов в ГЭС [4], что влечетизменения в начальных этапах зародышеобразования и последующих процессах эпитаксиальногороста. Поэтому целью работы является исследование процесса формирования InAs островков наповерхности InP(001) в процессе высокотемпературного отжига в потоке мышьяка.