Open AccessФормирования InAs островков на поверхности InP(001) при высокотемпературном отжиге в потоке мышьяка
Author(s) -
Д.А. Колосовский,
Д.В. Дмитриев,
С.А. Пономарев
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-98
Subject(s) - materials science , indium phosphide , optoelectronics , gallium arsenide
Подложки InP(001) используют для создания гетероэпитаксиальных структур (ГЭС), на основекоторых изготавливают транзисторы с высокой подвижностью электронов, лазеры, электрооптическиемодуляторы и фотодиоды [1]. Рост гетероструктуры начинается с удаления аморфного окисного слояподложки. Обычно окисный слой на подложке InP удаляют высокотемпературным отжигом в потокеAs. Однако в процессе отжига происходит изменение элементного состава поверхности подложки собразование твердого раствора InPAs и островков InAs [2, 3]. Решеточное рассогласование между InPи InAs приводит к возникновению напряжений и центрам зарождения дефектов в ГЭС [4], что влечетизменения в начальных этапах зародышеобразования и последующих процессах эпитаксиальногороста. Поэтому целью работы является исследование процесса формирования InAs островков наповерхности InP(001) в процессе высокотемпературного отжига в потоке мышьяка.