Формирование массивов нанокристаллов Si и твердого раствора SiGe на неориентирующей диэлектрической подложке

Интерес к нанокристаллам кремния (nc-Si), германия (nc-Ge) и их твёрдых растворов (nc-SiGe) вдиэлектрических плёнках вызван способностью люминесцировать в видимой и инфракрасной областяхблагодаря квантово-размерным ограничениям, что открывает возможность создания в одном чипеустройств оптической и электронной обработки информации. В работе представлены полученныеэкспериментальные результаты по формированию методом МЛЭ массива nc-SiGe на поверхности SiO2с зародышами nc-Si, определение условий, при которых Ge встраивается в nc-Si с образованием ncSiGe.