Open AccessФормирование массивов нанокристаллов Si и твердого раствора SiGe на неориентирующей диэлектрической подложке
Author(s) -
Г. Н. Камаев,
А. В. Кацюба,
П.А. Кучинская
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-97
Subject(s) - materials science , silicon germanium , optoelectronics , silicon
Интерес к нанокристаллам кремния (nc-Si), германия (nc-Ge) и их твёрдых растворов (nc-SiGe) вдиэлектрических плёнках вызван способностью люминесцировать в видимой и инфракрасной областяхблагодаря квантово-размерным ограничениям, что открывает возможность создания в одном чипеустройств оптической и электронной обработки информации. В работе представлены полученныеэкспериментальные результаты по формированию методом МЛЭ массива nc-SiGe на поверхности SiO2с зародышами nc-Si, определение условий, при которых Ge встраивается в nc-Si с образованием ncSiGe.