Рост Ван-дер-Ваальсовых материалов на Si(111)

Бинарные соединения Bi2Te3, Bi2Se3 и Sb2Te3 являются классическими примерами трехмерных (3D)топологических изоляторов (ТИ). Одной из возможных областей практического применения этихматериалов является детектирование терагерцового излучения [1]. Однако, халькогениды висмута исурьмы – это материалы с высокой проводимостью, обусловленной легированием собственнымидефектами, что затрудняет исследования поверхностных топологических состояний. Так, в Bi2Te3 иSb2Te3 избыток металла занимает узлы решетки Te и действует как легирующая примесь p-типа.Поэтому, чтобы осуществить исследования транспортных свойств ТИ, связанные с ихтопологическими поверхностными состояниями, необходимо уменьшить вклад объемных состояний впроводимость. Одним из вариантов решения данной проблемы является рост твёрдых растворовтройных и четверных соединений. Так в работе [2] было показано, что электрофизические свойствасоединения (BixSb1-х)2(SeyTe1-y)3 (BSTS) зависят от содержания компонент.