Оптические и структурные свойства двумерных слоёв кремния, встроенных в диэлектрическую матрицу фторида кальция

В настоящее время во всем мире наблюдается повышенный интерес к двумерным материалам наоснове кремния и германия [1]. Ожидается, что эти материалы будут иметь электронную структуру спрямой запрещенной зоной, что должно приводить к эффективной люминесценции. Настоящая работанаправлена на поиск оптимальных условий для формирования двумерных слоёв Si, встроенных вдиэлектрическую матрицу CaF2, а так же на исследование их структурных и оптических свойств. Намибыл проведён рост эпитаксиальных структур, содержащих тонкие слои Si, встроенные вдиэлектрическую матрицу CaF2. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии наподложках Si(111). Исследования морфологии поверхности выращенных структур позволилиопределить условия роста, благоприятные для формирования двумерных слоёв Si. Методомспектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были проведены исследования колебательныхспектров созданных структур. В спектрах КРС от структур с одним бислоем Si, встроенным в CaF2,обнаружен узкий пик при 418 см-1, который обусловлен колебаниями Si-Si связей в плоскостидвумерного слоя Si, интеркалированного в CaF2.