Open AccessGaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs гетероструктуры для полупроводниковых инфракрасных излучателей
Author(s) -
Д.В. Гуляев,
Д.В. Дмитриев,
Д.Ю. Протасов
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-93
Subject(s) - gallium arsenide , optoelectronics , materials science
В данной статье мы приводим результаты работы по получению методом молекулярно-лучевойэпитаксии гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs, предназначенныхдля создания на их основе светодиодов для работы в ближнем ИК диапазоне. Исследовано влияниеростовых условий гетероструктур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и постростового отжига на квантовый выход гетероструктур. Внутренний квантовый выход был определениз люминесцентных данных в рамках стандартной ABC модели, учитывающей излучательнуюрекомбинацию, безызлучательную рекомбинацию Шокли-Рида и Оже-рекомбинаци [1].Дополнительно квантовый выход был оценен из сравнения интенсивностей ФЛ образцов с ФЛрадомина 6G, обладающим на длине волны 527 нм квантовым выходом около 96%. Полученныеданные с точностью до нескольких процентов совпали с данными, полученными из анализамощностной зависимости ФЛ.