GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs гетероструктуры для полупроводниковых инфракрасных излучателей | Zendy

Д.В. Гуляев | Zendy; Д.В. Дмитриев | Zendy; Д.Ю. Протасов | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs гетероструктуры для полупроводниковых инфракрасных излучателей

Author(s) -

Д.В. Гуляев,

Д.В. Дмитриев,

Д.Ю. Протасов

Publication year - 2021

Publication title -

фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники

Language(s) - Russian

DOI - 10.34077/rcsp2021-93

Subject(s) - gallium arsenide , optoelectronics , materials science

В данной статье мы приводим результаты работы по получению методом молекулярно-лучевойэпитаксии гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs, предназначенныхдля создания на их основе светодиодов для работы в ближнем ИК диапазоне. Исследовано влияниеростовых условий гетероструктур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и постростового отжига на квантовый выход гетероструктур. Внутренний квантовый выход был определениз люминесцентных данных в рамках стандартной ABC модели, учитывающей излучательнуюрекомбинацию, безызлучательную рекомбинацию Шокли-Рида и Оже-рекомбинаци [1].Дополнительно квантовый выход был оценен из сравнения интенсивностей ФЛ образцов с ФЛрадомина 6G, обладающим на длине волны 527 нм квантовым выходом около 96%. Полученныеданные с точностью до нескольких процентов совпали с данными, полученными из анализамощностной зависимости ФЛ.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research