Арсенид-галлиевые структуры с углеродным покрытием: многофункциональное применение для приборов оптоэлектроники и бета-вольтаики

Использование углеродных (С) слоев (однослойного и многослойного графена) для разработкикомбинированных с полупроводниками A3B5 приборов наноэлектроники затруднено из-за отсутствияподходящих методов формирования С-слоев непосредственно на поверхности полупроводниковыхструктур с сохранением их свойств.В данной работе показана возможность получения углеродных нанослоев непосредственно наповерхности GaAs структур методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Длянанесения С-слоев использован лазер YAG:Nd (длина волны 532 нм). Подложка при выращиванииподдерживалась при 500°С, а толщина С-слоя определялась временем испарения и составляла от 4 до20 нм. По результатам исследований комбинационного рассеяния света и рентгеновскойфотоэлектронной спектроскопии полученные углеродные слои представляют собой сплошную пленкунанокристаллического графита, состоящую из зерен многослойного графена.