Open AccessАрсенид-галлиевые структуры с углеродным покрытием: многофункциональное применение для приборов оптоэлектроники и бета-вольтаики
Author(s) -
В.П. Лесников,
М.В. Ведь,
О.В. Вихрова
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-92
Subject(s) - materials science
Использование углеродных (С) слоев (однослойного и многослойного графена) для разработкикомбинированных с полупроводниками A3B5 приборов наноэлектроники затруднено из-за отсутствияподходящих методов формирования С-слоев непосредственно на поверхности полупроводниковыхструктур с сохранением их свойств.В данной работе показана возможность получения углеродных нанослоев непосредственно наповерхности GaAs структур методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Длянанесения С-слоев использован лазер YAG:Nd (длина волны 532 нм). Подложка при выращиванииподдерживалась при 500°С, а толщина С-слоя определялась временем испарения и составляла от 4 до20 нм. По результатам исследований комбинационного рассеяния света и рентгеновскойфотоэлектронной спектроскопии полученные углеродные слои представляют собой сплошную пленкунанокристаллического графита, состоящую из зерен многослойного графена.