Open AccessЭллипсометрическая in situ диагностика температуры в технологии выращивания слоёв кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Author(s) -
В.А. Швец,
Д.В. Марин,
И.А. Азаров
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-90
Subject(s) - in situ , environmental science , geography , meteorology
Температура подложки при выращивании слоёв кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в технологиимолекулярно-лучевой эпитаксии является одним из ключевых параметров, который обеспечиваетстабильный рост бездефектных эпитаксиальных плёнок с заданными характеристиками.Используемые в мировой практике методы контроля температуры, такие как пирометрия,спектроскопия края поглощения, термопарный либо малоэффективны, либо требуют дополнительнойтехнической адаптации вакуумного оборудования.