Open AccessInSb/InAlSb гетероструктуры для ИК фотоприемников с повышенной рабочей температурой
Author(s) -
М. А. Суханов,
А. К. Бакаров,
И. Д. Лошкарев
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-84
Subject(s) - materials science , physics
В данной работебыли измерены темновые и фототоки, проведено изучение роста методом молекулярно-лучевойэпитаксии nBn-гетероструктур InSb/In1-xAlxSb на подложках InSb (001), где In1-xAlxSb являетсяширокозонным барьером (B). Ввиду наличия рассогласования между постоянными решеткибарьерного слоя и подложки InSb, необходимо определить оптимальную долю алюминия и толщинубарьера, при которой слой InAlSb будет псевдоморфным, для этого была выращена серия слоев InAlSbс постоянной x=0.4, 0.3, 0.2 и переменной долей алюминия, в варизонных барьерах доля алюминияизменялась от 0.4 до 0.1 (I) и от 0.35 до 0.15 (II) в процессе роста структуры от поглощающего слоя кконтактному. Контроль состояния поверхности в процессе роста проводился методом дифракциибыстрых электронов. После роста был проведен анализвыращенных слоев методом рентгеновской дифракции сопределением степени релаксации слоя InAlSb.