Использование микросферной фотолитографии для селективного синтеза полупроводниковых структур группы A3B5 на Si

В данной работе будет продемонстрирован метод созданияподложек для селективной эпитаксии с использованием микросферной фотолитографии, позволяющейсоздавать гексагональные массивы наноструктур на больших площадях. Выбирая диаметрмикросферических частиц и задавая дозу экспонирования на этапе фотолитографии по микросферам,появляется возможность контролируемого варьирования диаметра и периода отверстий в маске.Подобные маски могут быть использованы при синтезе различных эпитаксиальных наноструктур,таких как нитевидные нанокристаллы, наноколонки, нанодиски и др. При этом, такой подход кподготовке ростовых подложек позволяет не только обеспечить текстурирование пластин большойплощади, но и существенно сократить время экспонирования резиста.