Open AccessСтруктурные и оптические свойства многослойных периодических структур с псевдоморфными слоями GeSiSn
Author(s) -
В. А. Тимофеев,
В. И. Машанов,
А. И. Никифоров
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-78
Subject(s) - chemistry
В работе изучен рост многослойных периодических структур и сверхрешеток, включающихупругонапряженные слои GeSiSn с содержанием олова от 0 до 18 %. Установлена кинетическаядиаграмма роста слоев GeSiSn с высоким содержанием Sn в диапазоне температур 100 – 300 °C. Наоснове кинетических диаграмм роста пленок GeSiSn выбиралась область толщин, соответствующаяпсевдоморфному состоянию. В