
Процессы формирования упорядоченных двумерных фаз кремния (пористого силицена) на поверхности g-Si3N3/Si(111)
Author(s) -
В. Г. Мансуров,
Ю.Г. Галицын,
Т. В. Малин
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-67
Subject(s) - materials science
В данной работе исследовались процессы формирования упорядоченных фаз кремния ивозможность синтеза силицена на графеноподобных слоях g-Si3N3 и g-AlN, которые предварительноформировались на поверхности Si(111), по технологии предложенной нами ранее.