Open AccessМоделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной
Author(s) -
К. А. Лозовой,
В. В. Дирко,
А. П. Коханенко
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-64
Subject(s) - computer science
В данной работе рассматривается эпитаксиальное выращивание напряженных двумерных слоевгермания и твердого раствора германия-кремния различного состава, а также особенностиформирования квантовых точек в этих системах. Проводится теоретическое рассмотрение влияниязависимости поверхностных энергий и упругих напряжений от толщины осажденного материалана формирование двумерных слоев и квантовых точек по механизму Странского–Крастанова. Помимоэтого, произведено моделирование миграции адатомов и формирования островков методоммолекулярной динамики.Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного донескольких монослоев, а также появления двумерных и трехмерных островков. Особое вниманиеуделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращениянежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту при выращивании 2D-материалов.