Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной

В данной работе рассматривается эпитаксиальное выращивание напряженных двумерных слоевгермания и твердого раствора германия-кремния различного состава, а также особенностиформирования квантовых точек в этих системах. Проводится теоретическое рассмотрение влияниязависимости поверхностных энергий и упругих напряжений от толщины осажденного материалана формирование двумерных слоев и квантовых точек по механизму Странского–Крастанова. Помимоэтого, произведено моделирование миграции адатомов и формирования островков методоммолекулярной динамики.Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного донескольких монослоев, а также появления двумерных и трехмерных островков. Особое вниманиеуделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращениянежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту при выращивании 2D-материалов.