Фотоэлектроника на основе коллоидных наноматериалов

Описаны конструкции фоторезисторов, фотодиодов и фототранзисторов, в том числематричного типа, на основе материалов с пониженной размерностью, использующие различныемеханизмы усиления фотосигнала. Однако, до последнего времени данные работы не выходили зарамки фундаментальных.В последние 2 года произошли принципиальные изменения в этой области, позволяющие говоритьо возникновении нового направления фотоэлектроники на основе новых материалов, существенноотличающихся от широко используемых в промышленности как монокристаллических иэпитаксиальных, так и поликристаллических материалов. В течение сравнительно короткого временина мировом рынке появилось несколько компаний представивших промышленные образцыфотоприемных устройств с использованием коллоидных квантовых точек и двумерных материалов [4-5] чувствительные в широком спектральном диапазоне от видимого до короткого ИК. По целому рядуключевых характеристик упомянутые приборы хотя пока и уступают, однако стремительноприближаются к фотоприемникам, выполненным по классической монокристальной илиэпитаксиальной технологии, а по таким характеристикам как ширина спектрального диапазона,максимальный формат матрицы ФЧЭ и стоимость уже могут успешно составить конкуренцию.В этой связи в нашей стране особенно актуальными становится как развитие работфундаментального и поискового характера направленных на исследование новых наноматериалов дляфотосенсоров различных спектральных диапазонов, механизмов формирования и усиленияфотосигнала, так и проведение прикладных работ направленных на развитие новых направленийконструирования фотоприемных устройств новых типов и внедрение новых материалов и подходов впромышленную технологию фотоэлектроники