z-logo
open-access-imgOpen Access
Формирование пленки CaSi2 в условиях радиационного воздействия на структуру CaF2/Si
Author(s) -
А. В. Кацюба,
А. В. Двуреченский,
Г. Н. Камаев
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-52
Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry
В настоящей работе представлены результаты исследований по изучению возможностиформирования тонких пленок CaSi2, путем воздействия электронного пучка с энергией 20 кэВ иплотностью тока 50 мкА/м2 на эпитаксиальную плёнку CaF2 на поверхности Si, т.е. в условияхрадиационно-стимулированного роста

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here