Формирование пленки CaSi2 в условиях радиационного воздействия на структуру CaF2/Si | Zendy

А. В. Кацюба | Zendy; А. В. Двуреченский | Zendy; Г. Н. Камаев | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Формирование пленки CaSi2 в условиях радиационного воздействия на структуру CaF2/Si

Author(s) -

А. В. Кацюба,

А. В. Двуреченский,

Г. Н. Камаев

Publication year - 2021

Publication title -

фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники

Language(s) - Russian

DOI - 10.34077/rcsp2021-52

Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry

В настоящей работе представлены результаты исследований по изучению возможностиформирования тонких пленок CaSi2, путем воздействия электронного пучка с энергией 20 кэВ иплотностью тока 50 мкА/м2 на эпитаксиальную плёнку CaF2 на поверхности Si, т.е. в условияхрадиационно-стимулированного роста

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research