Open AccessМЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения на состав пленок
Author(s) -
Е.А. Емельянов,
М. О. Петрушков,
И. Д. Лошкарев
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-38
Subject(s) - materials science
В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100)в направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдогораствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекулAs2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцыбыли исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.