МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения на состав пленок | Zendy

Е.А. Емельянов | Zendy; М. О. Петрушков | Zendy; И. Д. Лошкарев | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения на состав пленок

Author(s) -

Е.А. Емельянов,

М. О. Петрушков,

И. Д. Лошкарев

Publication year - 2021

Publication title -

фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники

Language(s) - Russian

DOI - 10.34077/rcsp2021-38

Subject(s) - materials science

В данной работе было исследовано влияние отклонения подложки GaAs от сингулярной грани (100)в направлении [110] на 0°, 1°, 2°, 3°, 5° и 7° на состав твёрдых растворов GaPxAs1-x. Слой твёрдогораствора выращивался одновременно на положках всех ориентаций. Использовались потоки молекулAs2 и P2, скорость роста составляла 1 МС/с, Ts = 500°С, толщина плёнки - 1 мкм. Выращенные образцыбыли исследованы методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research