Open AccessКвантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазных наноструктурах
Author(s) -
С. Н. Подлесный,
И. А. Карташов,
С. М. Тарков
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-35
Subject(s) - physics
Предел обнаружения квантовых сенсоров на спинах пар азот-вакансия (NV) и их ансамблях в алмазепропорционален времени дефазировки спинов Т2* и обратно пропорционален корню их концентрации.Однако Т2* зависит от спинов других дефектов и обычно Т2*<Т2 – времени спиновой релаксации на NVцентрах. Причем экспериментально выполняется соотношение T2* << T2 при теоретической величинеT2/T2* 16 за счет неспаренного электрона доноров Ns0. Важнейшей задачей является увеличениеплотности NV центров при сохранении длительного времени спиновой когерентности [2]. Оно зависиткак от качества специально разработанных синтетических кристаллов “квантового класса”, так и отформирования ансамблей и гибкости метода химического осаждения из паровой фазы с помощьюплазмы (CVD). Проблемой остается создание ансамблей в заданной области с контролем числа NVцентров. Задача формирования ансамблейквантового класса была решена в ИФП, ИГМ иИТФ СО РАН.