Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge на подложках Si

Экспериментальные работы в области изучения эффективности оптоэлектронных элементов часто опережаются теоретическими исследованиями.Взаимодействие ЭМ волн с диэлектрическими частицами субволнового размера не имеет простойинтерпретации для описания спектров отражения и пропускания. Единственным простым оценочнымсоотношением является формула m=nd, где m – длина волны магнитного дипольного резонанса, n –показатель преломления материала частицы и d – диаметр частицы. Была показано, что эта формула свысокой точностью выполняется для сферических частиц в среде воздуха. Для расчётов более сложныхслучаев могут быть использованы коммерческие программные пакеты.