Open AccessИсследование температурной зависимости границ спектральной характеристики чувствительности фотомодулей на основе КРТ
Author(s) -
В.С. Ковшов,
А.В. Никонов,
К.О. Болтарь
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-141
Subject(s) - computer science
Повышение требований к тактико-техническим характеристикам оптико-электронных систем ИКдиапазона, наблюдаемое в последнее десятилетие, является катализатором для непрерывногосовершенствования и оптимизации технологии изготовления современных фотоприемных устройств.Особые требования предъявляются в первую очередь к полупроводниковым материалам исоединениям на их основе, используемым для изготовления фоточувствительных элементов.Фотомодули на основе гетероэпитаксиальных структур тройных соединений кадмий-ртуть-теллур(КРТ) стабильно занимают широкую область рынка изделий фотоэлектроники [1, 2]. Вместе с тем,перед разработчиками стоит вопрос совершенствования технологии изготовления таких фотомодулей.