Исследование температурной зависимости границ спектральной характеристики чувствительности фотомодулей на основе КРТ | Zendy

В.С. Ковшов | Zendy; А.В. Никонов | Zendy; К.О. Болтарь | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Исследование температурной зависимости границ спектральной характеристики чувствительности фотомодулей на основе КРТ

Author(s) -

В.С. Ковшов,

А.В. Никонов,

К.О. Болтарь

Publication year - 2021

Publication title -

фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники

Language(s) - Russian

DOI - 10.34077/rcsp2021-141

Subject(s) - computer science

Повышение требований к тактико-техническим характеристикам оптико-электронных систем ИКдиапазона, наблюдаемое в последнее десятилетие, является катализатором для непрерывногосовершенствования и оптимизации технологии изготовления современных фотоприемных устройств.Особые требования предъявляются в первую очередь к полупроводниковым материалам исоединениям на их основе, используемым для изготовления фоточувствительных элементов.Фотомодули на основе гетероэпитаксиальных структур тройных соединений кадмий-ртуть-теллур(КРТ) стабильно занимают широкую область рынка изделий фотоэлектроники [1, 2]. Вместе с тем,перед разработчиками стоит вопрос совершенствования технологии изготовления таких фотомодулей.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research