Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг | Zendy

А.Г. Коротаев | Zendy; И.И. Ижнин | Zendy; А.В. Войцеховский | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг

Author(s) -

А.Г. Коротаев,

И.И. Ижнин,

А.В. Войцеховский

Publication year - 2021

Publication title -

фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники

Language(s) - Russian

DOI - 10.34077/rcsp2021-140

Subject(s) - cadmium telluride photovoltaics , materials science , optoelectronics , crystallography , chemistry

В работе представлены результаты исследований процессов накопления радиационных донорныхдефектов и их отжига в подвергнутых ионной имплантации (ИИ) мышьяком (As)гетероэпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe (ГЭС КРТ) с составом активной области ха~0.3 и ихсравнение с ранее проведенными аналогичными исследованиями для пленок с ха~0.22 [1]. Дляисследований использовали номинально нелегированные ГЭС КРТ, выращенные молекулярнолучевой эпитаксией (МЛЭ) на подложках GaAs (#1, #3, #4) или Si (#2) с ориентацией (013) с буфернымслоем ZnTe/CdTe.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research