Open AccessРадиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг
Author(s) -
А.Г. Коротаев,
И.И. Ижнин,
А.В. Войцеховский
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-140
Subject(s) - cadmium telluride photovoltaics , materials science , optoelectronics , crystallography , chemistry
В работе представлены результаты исследований процессов накопления радиационных донорныхдефектов и их отжига в подвергнутых ионной имплантации (ИИ) мышьяком (As)гетероэпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe (ГЭС КРТ) с составом активной области ха~0.3 и ихсравнение с ранее проведенными аналогичными исследованиями для пленок с ха~0.22 [1]. Дляисследований использовали номинально нелегированные ГЭС КРТ, выращенные молекулярнолучевой эпитаксией (МЛЭ) на подложках GaAs (#1, #3, #4) или Si (#2) с ориентацией (013) с буфернымслоем ZnTe/CdTe.