Open AccessВысокоскоростной фотоприемный модуль на основе InAlAs/InGaAs/InP pin-диода с частично обедненным слоем для оптоволоконных систем передачи данных
Author(s) -
К.С. Журавлев,
I. B. Chistokhin,
N. A. Valisheva
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-138
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Задачи передачи аналоговых СВЧ-сигналов по волоконным линиям требуют использованиявысокоскоростных фотоприемников с эквивалентной чувствительностью 5–10 А/Вт и выше и низкимнапряжением питания. В работе рассматриваются конструкция и характеристики фотоприемногомодуля для оптоволоконных систем передачи данных и СВЧ-сигналов, выполненного на основескоростного pin-фотодиода и трансимпедансного усилителя для диапазонов частот до 2,5–10 ГГц.