Высокоскоростной фотоприемный модуль на основе InAlAs/InGaAs/InP pin-диода с частично обедненным слоем для оптоволоконных систем передачи данных | Zendy

К.С. Журавлев | Zendy; И. Б. Чистохин | Zendy; N. A. Valisheva | Zendy

Open Access

Высокоскоростной фотоприемный модуль на основе InAlAs/InGaAs/InP pin-диода с частично обедненным слоем для оптоволоконных систем передачи данных

Author(s) -

К.С. Журавлев,

И. Б. Чистохин,

N. A. Valisheva

Publication year - 2021

Publication title -

фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники

Language(s) - Russian

DOI - 10.34077/rcsp2021-138

Subject(s) - materials science , optoelectronics

Задачи передачи аналоговых СВЧ-сигналов по волоконным линиям требуют использованиявысокоскоростных фотоприемников с эквивалентной чувствительностью 5–10 А/Вт и выше и низкимнапряжением питания. В работе рассматриваются конструкция и характеристики фотоприемногомодуля для оптоволоконных систем передачи данных и СВЧ-сигналов, выполненного на основескоростного pin-фотодиода и трансимпедансного усилителя для диапазонов частот до 2,5–10 ГГц.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research