Исследование свойств пассивирующего покрытия Al2O3, выращенного при различных параметрах роста на CdHgTe

Для применения тройного раствора CdHgTe в прикладных задачах необходимо подобрать для негохорошее пассивирующее покрытие. Пассивирующие покрытия характеризуется рядом параметров:плотностью поверхностных состояний, однородностью и величиной встроенного заряда вдиэлектрической плёнке и др. В работах, исследовавших границу раздела гетеро-эпитаксиальныхструктур (ГЭС) CdHgTe выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ) и Al2O3,нанесенного методом плазменно-индуцированного атомно-слоевого осаждения (ПАСО) притемпературе образца 120°С, отмечается, что данный диэлектрик обладает хорошими пассивирующимисвойствами [1, 2]. Известно, что стехиометрия и количество примесей в Al2O3, выращенного методомПАСО, достигает оптимума при температурах 200-300 °С [3]. С другой стороны, с поверхностиCdHgTe, в вакууме, начинает испаряться ртуть уже при 80 °С [4]. В литературе не встречается работы,в которых проводились исследования по поиску оптимальных параметров роста Al2O3, выращенногометодом ПАСО, на CdHgTe. Цель данной работы – исследование параметров пассивирующих слоевAl2O3, выращенного методом ПАСО на CdHgTe при различных температурах и обработках CdHgTeперед ростом диэлектрической плёнки.