Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Униполярные барьерные детекторы (например, в nBn-конфигурации) обеспечивают возможностиповышения рабочей температуры инфракрасных детекторов [1] за счет подавления некоторыхкомпонент темнового тока (в частности, поверхностной утечки и генерации в обедненных областях).Наибольшие успехи достигнуты при создании барьерных детекторов на основе материалов III-V cпостоянной решетки 6.1 Å (например, на основе систем InAsSb/AlAsSb, InAs/GaSb), из-за того, что прииспользовании таких материалов можно обеспечить отсутствие потенциального барьера в валентнойзоне. Помимо этого, использование барьерной архитектуры в детекторах на основе материалов III-Vпозволяет увеличить рабочую температуру приборов, поскольку в традиционных детекторах на основетаких материалов доминируют шумы, связанные с генерацией в обедненных областях. Приизготовлении барьерных детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевойэпитаксии (МЛЭ), исчезает необходимость использования ионной имплантации, которая снижаеткачество материала из-за генерации радиационных дефектов.