Open AccessФотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа
Author(s) -
Д.Ю. Протасов,
В.А. Кузнецов,
В.Я. Костюченко
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-129
Subject(s) - computer science
Кадмий-ртуть-теллур (КРТ) является основным материалом для создания матричныхфотоприёмных устройств (МФПУ) ИК диапазона [1,2]. Теоретические расчеты показывают, чтоМФПУ в виде диодов с базой n-типа имеют лучше параметры, чем с базой p-типа. Параметры такихМФПУ во многом определяются рекомбинационно-диффузионными процессами, а именнозначениями равновесной концентрации и подвижности основных (электронов) и неосновных (дырок)носителей, их временем жизни в объёме материала, скоростями поверхностной рекомбинации на двухповерхностях плёнки [3].