Фотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа | Zendy

Д.Ю. Протасов | Zendy; В.А. Кузнецов | Zendy; В.Я. Костюченко | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Фотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа

Author(s) -

Д.Ю. Протасов,

В.А. Кузнецов,

В.Я. Костюченко

Publication year - 2021

Publication title -

фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники

Language(s) - Russian

DOI - 10.34077/rcsp2021-129

Subject(s) - computer science

Кадмий-ртуть-теллур (КРТ) является основным материалом для создания матричныхфотоприёмных устройств (МФПУ) ИК диапазона [1,2]. Теоретические расчеты показывают, чтоМФПУ в виде диодов с базой n-типа имеют лучше параметры, чем с базой p-типа. Параметры такихМФПУ во многом определяются рекомбинационно-диффузионными процессами, а именнозначениями равновесной концентрации и подвижности основных (электронов) и неосновных (дырок)носителей, их временем жизни в объёме материала, скоростями поверхностной рекомбинации на двухповерхностях плёнки [3].

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research