Open AccessПассивация собственным окислом поверхности CdHgTe, подвергнутой жидкостному травлению
Author(s) -
И.А. Краснова,
Д. В. Горшков,
G.I. Sidorov
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-127
Subject(s) - materials science , chemistry
При изготовлении фотоприемных матриц для улучшения их частотно-контрастной характеристики(ЧКХ) необходимо уменьшить фотоэлектрическую связь между фотоприемными элементами.Поскольку влияние диффузии носителей заряда в CdHgTe (КРТ) увеличивается с уменьшениемрасстояния между фотодиодами, улучшение ЧКХ достигается за счет физического разделения припомощи травления меза-структуры. В настоящее время меза-структуры создаются с помощьюжидкостного травления водным раствором Br+HBr. При таком травлении на поверхности КРТобразуется избыточный теллур, а также появляются другие дефекты, которые влияют наэлектрофизические свойства фотодетекторов. Для уменьшения влияния этих дефектов перспективнымнаправлением является проведение дополнительных обработок КРТ после травления переднанесением диэлектрика. Таким образом, целью данной работы является изучение влияниясобственного окисла КРТ после жидкостного травления Br+HBr на электрофизические свойстваграницы раздела КРТ – Al2O3.