Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу фотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si | Zendy

I. V. Osinnykh | Zendy; Т. В. Малин | Zendy; Д.С. Милахин | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу фотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si

Author(s) -

I. V. Osinnykh,

Т. В. Малин,

Д.С. Милахин

Publication year - 2021

Publication title -

фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники

Language(s) - Russian

DOI - 10.34077/rcsp2021-121

Subject(s) - materials science

В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследованияфотолюминесценции серий сильнолегированных слоев AlN, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках, концентрация атомов кремния (NSi) составляла1.11020 см-3. При измерении ФЛ в диапазоне температур 300-1000 К использовалось возбуждение 4-ой гармоникой импульсного Nd:YLF лазера (λ=263 нм, мощность 1 мВт, длительность импульса 7 нс).При измерении ФЛ в широком диапазоне генерации носителей заряда использовалась возбуждение 4-ой гармоникой стационарного YAG лазера (λ=266 нм), максимальная мощность составляла 65 мВт.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research