Open AccessУстановление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу фотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si
Author(s) -
I. V. Osinnykh,
Т. В. Малин,
Д.С. Милахин
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-121
Subject(s) - materials science
В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследованияфотолюминесценции серий сильнолегированных слоев AlN, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках, концентрация атомов кремния (NSi) составляла1.11020 см-3. При измерении ФЛ в диапазоне температур 300-1000 К использовалось возбуждение 4-ой гармоникой импульсного Nd:YLF лазера (λ=263 нм, мощность 1 мВт, длительность импульса 7 нс).При измерении ФЛ в широком диапазоне генерации носителей заряда использовалась возбуждение 4-ой гармоникой стационарного YAG лазера (λ=266 нм), максимальная мощность составляла 65 мВт.