Open AccessРасчётная модель оптических характеристик соединения AlGaAs для контроля параметров QWIP-структур
Author(s) -
М.С. Кораблин,
В. В. Гончаров,
А. В. Никонов
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-120
Subject(s) - optoelectronics , quantum well infrared photodetector , materials science , physics , quantum well , optics , laser
В технологии изготовления гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами(QWIP-структур), применяемых для создания матричных фотоприемных устройств среднего идальнего ИК-диапазона, существенную роль играет прецизионный контроль свойствфоточувствительных материалов [1]. Критически важными контролируемыми характеристикамиявляются распределение коэффициентов пропускания и отражения структуры по длинам волнизлучения. В связи с топологической сложностью QWIP-структур на основе гетеропары AlGaAs/GaAs(количество и наноразмерная толщина эпитаксиальных слоев в активной области) актуальной задачей,стоящей перед разработчиками, является реализация расчётных методов, позволяющих какпрогнозировать параметры структур с высокой точностью, так и предоставлять необходимые данныедля обеспечения технологического процесса эпитаксиального роста.