Фотолюминесценция множественных квантовых ям GaN/AlN

Множественные квантовые ямы (МКЯ) GaN/AlN перспективны для применения в качестве базовыхматериалов для светоизлучающих устройств, работающих в ультрафиолетовой спектральной области[1], высокоскоростных инфракрасных оптических модуляторов [2], оптических переключателей [3] иинфракрасных фотоприемников на внутризонных переходах [4]. В данной работе исследованазависимость энергии максимума полосы излучения МКЯ GaN/AlN от толщин слоев GaN и AlNметодами фотолюминесценции (ФЛ) и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), проведеносравнение с теоретическими расчетами с использованием 6-зонного kp-приближения.