Open AccessФотолюминесценция множественных квантовых ям GaN/AlN
Author(s) -
И.А. Александров,
Т.В. Малин,
Д.Ю. Протасов
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-114
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Множественные квантовые ямы (МКЯ) GaN/AlN перспективны для применения в качестве базовыхматериалов для светоизлучающих устройств, работающих в ультрафиолетовой спектральной области[1], высокоскоростных инфракрасных оптических модуляторов [2], оптических переключателей [3] иинфракрасных фотоприемников на внутризонных переходах [4]. В данной работе исследованазависимость энергии максимума полосы излучения МКЯ GaN/AlN от толщин слоев GaN и AlNметодами фотолюминесценции (ФЛ) и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), проведеносравнение с теоретическими расчетами с использованием 6-зонного kp-приближения.