Инфракрасная фотолюминесценция в кремнии, облученном тяжелыми ионами высоких энергий

Изучение оптических свойств кремния с целью создания излучателя на его основе остаетсяактуальной задачей. Инженерия светоизлучающих дефектов является одним из возможных путейрешения. Люминесцентные свойства дислокаций широко исследуются [1, 2]. В нашей работе образцыкремния были облучены тяжелыми ионами высокоэнергетичного Хе. Потери на ионизацию такихчастиц вблизи поверхности достигают десятков кэВ/нм и вдоль траектории иона возможен локальныйразогрев до температур, превышающих температуру плавления. В облученных тяжелыми ионамикристаллических Si и Ge исследователи не наблюдалитреков и протяженных дефектов, независимо от уровняпотерь на ионизацию [3, 4].