Open AccessИнфракрасная фотолюминесценция в кремнии, облученном тяжелыми ионами высоких энергий
Author(s) -
С.Г. Черкова,
В.А. Володин,
Г.К. Кривякин
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-107
Subject(s) - materials science
Изучение оптических свойств кремния с целью создания излучателя на его основе остаетсяактуальной задачей. Инженерия светоизлучающих дефектов является одним из возможных путейрешения. Люминесцентные свойства дислокаций широко исследуются [1, 2]. В нашей работе образцыкремния были облучены тяжелыми ионами высокоэнергетичного Хе. Потери на ионизацию такихчастиц вблизи поверхности достигают десятков кэВ/нм и вдоль траектории иона возможен локальныйразогрев до температур, превышающих температуру плавления. В облученных тяжелыми ионамикристаллических Si и Ge исследователи не наблюдалитреков и протяженных дефектов, независимо от уровняпотерь на ионизацию [3, 4].