Структурные и оптические свойства многослойных периодических структур с псевдоморфными слоями GeSiSn
Author(s) -
В.А. Тимофеев,
В.И. Машанов,
Никифоров А.И.
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-105
Subject(s) - mathematics
В работе изучен рост многослойных периодических структур и сверхрешеток, включающихупругонапряженные слои GeSiSn с содержанием олова от 0 до 18 %. Установлена кинетическаядиаграмма роста слоев GeSiSn с высоким содержанием Sn в диапазоне температур 100 – 300 °C. Наоснове кинетических диаграмм роста пленок GeSiSn выбиралась область толщин, соответствующаяпсевдоморфному состоянию. В процессе роста кремния поверх слоев GeSiSn наблюдались различныесверхструктуры в зависимости от содержания олова в слое твердого раствора и температурыосаждения кремния в многослойной периодической структуре. Эти сверхструктуры соответствуютопределенному покрытию олова. Методом рентгеновской дифрактометрии изучены напряженноесостояние, состав, качество гетерограниц и термическая стабильность многослойных периодическихструктур.
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom