Open AccessАнизотропия проводимости эпитаксиальных плёнок топологического кристаллического изолятора Pb1-xSnxTe, выращенных на подложках CdTe/ZnTe/GaAs (013)
Author(s) -
А.С. Тарасов,
Д.С. Ищенко,
Н.Н. Михайлов
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-104
Subject(s) - cadmium telluride photovoltaics , optoelectronics , materials science
Целью работы являлась разработка методики очистки поверхности CdTe/ZnTe/GaAs (013), ростэпитаксиальных плёнок PbSnTe, PbSnTe:In и изучение их транспортных свойств. Применениеметодики получения атомарно-чистой и структурно-упорядоченной поверхности CdTe/ZnTe/GaAsпосле ее выдержки в атмосфере позволяет использовать такие структуры для роста PbSnTe и безотдельной ростовой камеры для CdTe/ZnTe/GaAs. За основу взята методика, успешно используемаядля соединений AIIIBV и заключающаяся в обработке поверхности в насыщенного парами солянойкислоты изопропиловом спирте (HCl-iPA) с предростовым прогревом подложек в вакууме.