Анизотропия проводимости эпитаксиальных плёнок топологического кристаллического изолятора Pb1-xSnxTe, выращенных на подложках CdTe/ZnTe/GaAs (013) | Zendy

А.С. Тарасов | Zendy; Д.С. Ищенко | Zendy; Н.Н. Михайлов | Zendy

Open Access

Анизотропия проводимости эпитаксиальных плёнок топологического кристаллического изолятора Pb1-xSnxTe, выращенных на подложках CdTe/ZnTe/GaAs (013)

Author(s) -

А.С. Тарасов,

Д.С. Ищенко,

Н.Н. Михайлов

Publication year - 2021

Publication title -

фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники

Language(s) - Russian

DOI - 10.34077/rcsp2021-104

Subject(s) - cadmium telluride photovoltaics , optoelectronics , materials science

Целью работы являлась разработка методики очистки поверхности CdTe/ZnTe/GaAs (013), ростэпитаксиальных плёнок PbSnTe, PbSnTe:In и изучение их транспортных свойств. Применениеметодики получения атомарно-чистой и структурно-упорядоченной поверхности CdTe/ZnTe/GaAsпосле ее выдержки в атмосфере позволяет использовать такие структуры для роста PbSnTe и безотдельной ростовой камеры для CdTe/ZnTe/GaAs. За основу взята методика, успешно используемаядля соединений AIIIBV и заключающаяся в обработке поверхности в насыщенного парами солянойкислоты изопропиловом спирте (HCl-iPA) с предростовым прогревом подложек в вакууме.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research