Open AccessМетод расчета эффективной ширины запрещённой зоны сверхрешеток 2 типа на основе InAs/GaSb
Author(s) -
В.С. Ковшов,
А. В. Никонов
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-103
Subject(s) - materials science , optoelectronics
В исследовании решено стационарное уравнение Шредингера с учетом «дополнительного»потенциала для гетеропереходов InAs/GaSb и найдены значения энергетических уровней всверхрешетке. «Дополнительный» энергетический потенциал имеет вид ступеньки и характеризуетсяпериодом, равным периоду структуры и сильно превышающем размер постоянной решетки. период,равный периоду структуры и сильно превышает размер постоянной решетки. Так как в сверхрешеткахвторого типа одной из определяющих особенностей является пространственное разделение зарядов, вподобных структурах наблюдается низкий коэффициент поглощения. Для увеличения поглощения напрактике в фотоприемниках используют матрицы на основе T2SL с большим количеством слоев (до100-150 слоев), при этом точное решение такой задачи затруднительно, и расчеты проводились вприближении бесконечной периодической структуры. Из полученных дисперсионных соотношенийдля электронов и дырок проведен расчет границ энергетических минизон. Разность энергий междупотолком первой минизоны тяжелых дырок (ℎℎ) и дном первой минизоны электронов (e) являетсяэффективной шириной запрещенной зоны сверхрешетки.