Моделирование структурного политипизма в нанопроволоках GaAs на базе решеточной модели

Настоящая работа посвящена моделированию роста различных кристаллических фаз в процессеформирования НП GaAs по механизму пар-жидкость-кристалл. Моделирование проводилось на основерешеточной модели. Каждый узел мог быть либо свободен, либо занят частицей. С частицами моглипроисходить различные события: акты адсорбции, десорбции, диффузии и химические превращения.Вероятность этих событий и их последовательность задаются энергиями активации, которые являютсявходными параметрами модели. Начальная морфология модельной системы выглядела следующимобразом: прямоугольная подложка GaAs размером 35×40 нм с ориентацией (111)B была покрыта слоеммаски различной толщины с круглым отверстием в центре, в котором была размещена капля галлия.При осаждении на подложку атомов Ga и молекул As2 под каплей начиналась кристаллизация арсенидагаллия. Это происходило за счет растворения осаждаемого вещества в капле и кристаллизации под нейна границе раздела жидкость-кристалл.