Open AccessМоделирование структурного политипизма в нанопроволоках GaAs на базе решеточной модели
Author(s) -
А.Г. Настовьяк,
Н.Л. Шварц
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-102
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Настоящая работа посвящена моделированию роста различных кристаллических фаз в процессеформирования НП GaAs по механизму пар-жидкость-кристалл. Моделирование проводилось на основерешеточной модели. Каждый узел мог быть либо свободен, либо занят частицей. С частицами моглипроисходить различные события: акты адсорбции, десорбции, диффузии и химические превращения.Вероятность этих событий и их последовательность задаются энергиями активации, которые являютсявходными параметрами модели. Начальная морфология модельной системы выглядела следующимобразом: прямоугольная подложка GaAs размером 35×40 нм с ориентацией (111)B была покрыта слоеммаски различной толщины с круглым отверстием в центре, в котором была размещена капля галлия.При осаждении на подложку атомов Ga и молекул As2 под каплей начиналась кристаллизация арсенидагаллия. Это происходило за счет растворения осаждаемого вещества в капле и кристаллизации под нейна границе раздела жидкость-кристалл.