Open AccessПреобразование элементного состава на поверхности 2D слоя GaN при формировании квантовых точек GaN
Author(s) -
Я.Э. Майдэбура,
В.Г. Мансуров,
Т. В. Малин
Publication year - 2021
Publication title -
фотоника-2021 : тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2021-100
Subject(s) - materials science , optoelectronics , gallium nitride , nanotechnology , layer (electronics)
Нитридные полупроводники III группы, такие как InN, GaN и AlN, в последние десятилетияпредставляют огромный интерес для исследования. Это обуславливается возможностью созданияфотоприемных и светоизлучающих устройств от инфракрасного до ультрафиолетового диапазонаиспользуя твердые растворы III-нитридов [1]. Проблемой при создании таких устройств являетсявысокая плотность дислокаций в выращенных структурах, которые являются центрамибезызлучательной рекомбинации и снижают эффективность работы оптоэлектронных устройств.Возможный подход к преодолению этой проблемы заключается в использовании трехмерныхнаноструктур, известных как квантовые точки (КТ).