Преобразование элементного состава на поверхности 2D слоя GaN при формировании квантовых точек GaN

Нитридные полупроводники III группы, такие как InN, GaN и AlN, в последние десятилетияпредставляют огромный интерес для исследования. Это обуславливается возможностью созданияфотоприемных и светоизлучающих устройств от инфракрасного до ультрафиолетового диапазонаиспользуя твердые растворы III-нитридов [1]. Проблемой при создании таких устройств являетсявысокая плотность дислокаций в выращенных структурах, которые являются центрамибезызлучательной рекомбинации и снижают эффективность работы оптоэлектронных устройств.Возможный подход к преодолению этой проблемы заключается в использовании трехмерныхнаноструктур, известных как квантовые точки (КТ).