Неклассические излучатели света на основе селективно-позиционированных гибридных микрорезонаторов и (111)In(Ga)As квантовых точек

В работе представлены результаты исследования оптических характеристик неклассическихисточников света, на основе селективно – позиционированных микролинзовых структур и одиночныхIn(Ga)As квантовых точек, выращенных на подложке (111)B GaAs. Однофотонный характеризлучения подтвержден измерением и анализом корреляционной функции второго порядка g(2)(τ),g(2)(0)=0.07.В данной работе реализован микрорезонатор наоснове полупроводникового брэгговского отражателя имикролинзы, селективно позиционированной надодиночной (111) In(Ga)As квантовой точкой (КТ).Конструкция микрорезонатора обеспечиваетэффективную накачку квантовых точек и высокуювнешнюю квантовую эффективность вывода излучения.Микролинзы диаметром ~2 мкм и высотой ~0.4 мкмформировались с использованием методов электроннойлитографии и плазмо-химического травлениянепосредственно над одиночными КТ, координатыкоторых определялись ранее с использованием методикикатодолюминесценции. Селективное позиционированиевыходной апертуры микрорезонатора (микролинзы)строго над выбранной одиночной КТ обеспечиваетуверенную регистрацию излучения КТ.На рис. 1a представлен спектр излучения одиночнойInGaAs КТ, расположенной в микрорезонаторе,содержащий экситонный и биэкситонный пики.Статистика излучения анализировалась с использованиеминтерферометра Хэнбери Брауна–Твисса.Корреляционная функция второго порядка дляэкситонной линии одиночной InGaAs КТ, находящейся вмикрорезонаторе, представлена на рис. 2b. Измеренноезначение корреляционной функции второго порядка принулевой временной задержке составляет g(2)(0)=0.07, чтодемонстрирует ярко выраженный однофотонныйхарактер излучения и перспективность использованияданного типа микрорезонаторов для разработки неклассических излучателей на основеполупроводниковых квантовых точек.