Фоторезисторы из CdxHg1-xTe с радиальным смещением и эффектом эксклюзии носителей заряда

Расположение одного контакта в центре пиксела, а второго – по его периметру позволяетосуществить радиальное смещение. Принципиальная схема такого исполнения контактной системыФЧЭ приведена на рис.1. Для изготовления ФЧЭ использовались гетероэпитаксиальные структуры,полученные в Институте физики полупроводников Сибирского отделения РАН молекулярно-лучевойэпитаксией (ГЭСКРТМЛЭ): х=0,210-0,215, n=(3,9–4,1)×1014,µn, = (0,86–0,92)×105см2/Вс и временемфотоответаτоб=(1,3 – 2,2)мкс при 77К. Зависимости удельной обнаружительной способности D*(λmax,1200,1) и вольтовойчувствительности Su (λmax) от напряжения смещения для ФЧЭ с радиальным смещением приплоском угле зрения 42° и 14° приведены на рис.2. Максимальные величины D*(λmax,1200,1)получены при напряжениях, соответствующих началу пролета носителей заряда: 5,4×1010,1,35×1011смГц1/2/Вт при плоском угле зрения 42°и 14°, соответственно. При напряжении смещения,соответствующем величине вольтовой чувствительности 1,5×105 В/Вт и плоском угле зрения 14°(Uсм=0,01 В), выделяемая мощность составила не более 0,5 мкВт на один элемент, а D*(λmax,1200,1) –не менее 1,2×1011 смГц1/2/Вт.В ФЧЭ с радиальным смещением, как и для ФЧЭ в классическом исполнении [1], наблюдаетсяэксклюзия неосновных носителей заряда, генерируемых фоновым излучением.