Влияние скорости роста на состав слоев в подрешетке пятой группы при МЛЭ твердых растворов InAsSb

Твёрдые растворы InAsxSb1-x являются перспективными полупроводниковыми материалами длясоздания быстродействующих электронных и оптоэлектронных приборов, работающих винфракрасной области спектра. Выращивание таких твердых растворов с заданным составомявляется сложной научно-технологической задачей. Это обусловлено тем, что состав InAsxSb1-x вподрешётке пятой группы является сложной функцией условий роста, таких как температура роста(Ts), величины и соотношения потоков атомов индия (JIII), молекул мышьяка (JAs) и сурьмы (JSb) [1].Целью данной работы было экспериментальное исследование влияния скорости роста (каксамостоятельного параметра) на состав твёрдых растворов InAsxSb1-x при молекулярно-лучевойэпитаксии. Для этого необходимо в процессе роста образцов фиксировались как соотношениепотоков V группы – JSb/JAs, так и соотношение полных потоков III и V групп – (JSb+JAs)/JIII.На подложках GaAs(100) была выращена серия из четырех образцов InAsxSb1-x с использованиемпотоков молекул As2 и Sb4 при Ts = 380°С. Скорость роста (Vg) варьировалась в диапазоне от 0.25 до 2монослоев в секунду. Выращенные образцы были исследованы методом высокоразрешающейрентгеновской дифрактометрии.Полученная зависимость состава xтвёрдого раствора InAsxSb1-x от Vg приведенана рисунке. Согласно приведенным данным,скорость роста выступает самостоятельнымпараметром процесса эпитаксии,определяющим состав твёрдых растворов сзамещением по пятой группе.В работах [1, 2] сообщается о фактевлияния скорости роста на состав твердыхрастворов AIIIAsSb. Но важно отметить, чтофиксируя значение JSb/JAs, авторы неподдерживали постоянным соотношение(JSb+JAs)/JIII при варьировании Vg. При такомподходе не учитывается влияниесоотношения (JSb+JAs)/JIII на составадсорбционных слоев на поверхности роста.Поэтому, по результатам этих работ нельзяприйти к заключению о роли скорости роста, как самостоятельного параметра процессовформирования состава твердых растворов.В представленной работе обсуждаются механизмы влияния Vg на состав твёрдых растворовInAsxSb1- x, выращенных методом МЛЭ.