Адмиттанс гибридных органо-неорганических структур на основе пентацена в широком диапазоне температур

Интерес к исследованиям электрофизических характеристик многослойных органонеорганических систем обусловлен возможностями совмещения приборов органической электроники(например, солнечных элементов, светодиодов, тонкопленочных транзисторов) с традиционнымиустройствами на основе неорганических полупроводников и диэлектриков [1]. Измерение адмиттансаМДП-структур на основе органических полупроводников при различных частотах и напряженияхобеспечивает получение важной информации о свойствах органических пленок и границ разделамежду диэлектриками и органическими полупроводниками [2,3]. В данной работе в широкомдиапазоне условий экспериментально исследованы частотные, температурные и полевыезависимости адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с различными диэлектрическимислоями (SiO2 и SiO2/Ga2O3).Установлено, что при достаточно высокихтемпературах (около 300 К) минимальные значенияемкости на вольт-фарадных характеристиках (ВФХ)исследованных МДП-структур определяются неполным обеднением пленки пентацена, а образованиеминверсионного слоя, время формирования которогосоставляет около 10 секунд. При охлаждении до 260 К(в случае SiO2/Ga2O3) или до 100 К (случай SiO2)инверсионный слой не успевает сформироваться [4].При различных частотах и температурах определенаконцентрация дырок в пентацене. Измеренныечастотные зависимости адмиттанса структур сдиэлектриком SiO2 хорошо согласуются с результатамирасчета. На зависимости приведенной проводимости оттемпературы обнаружены максимумы (рисунок),связанные с ловушками в объеме пентацена.