Электрофизические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Гибридные детекторы на основе МЛЭ HgCdTe содержат pn-переход, причем p-областьформируется путем ионной имплантации акцепторной примеси. Для подавления темновых тепловыхтоков необходимо значительное охлаждение детекторов. Для решения этих проблем могут бытьиспользованы детекторы с униполярной архитектурой (например, в nBn-конфигурации [1]). Такиеструктуры пока исследуются преимущественно теоретически [2, 3], попыток практическойреализации nBn-структур при выращивании HgCdTe методом МЛЭ пока немного [4, 5]. В работеприведены первые результаты исследования электрофизических свойств nBn-структур на основеМЛЭ HgCdTe, предназначенных для детектирования в MWIR-диапазоне (3-5 мкм).Исследованы характеристики нескольких типов структур, причем в качестве барьерного слояиспользовался МЛЭ Hg1-xCdxTe (x=0.66-0.83, тип 1) или cверхрешетка из 18 периодовHg0.20Cd0.80Te/HgTe (тип 2). Изучены зависимостиадмиттанса МДП-систем на основе nBn-структуры сдиэлектриком Al2O3 [6]. Вольтамперныехарактеристики (ВАХ) для nBn-структуры типа 1показаны на рисунке. Плотность темнового тока приобратном смещении для таких структур оказаласьзначительно меньше, чем плотность тока дляструктур, описанных в литературе [4]. ИзмеренияВАХ при различной площади образцов показали, чтодоминирует компонента тока поверхностной утечки.Для nBn-структур типа 2 реализуются меньшиезначения высоты потенциального барьера для дырок.После оптимизации конструктивных итехнологических параметров образцов можноожидать улучшения характеристик nBn-структур наоснове МЛЭ n-HgCdTe.