Open AccessФотоприемник ультрафиолетового излучения на основе Au-Ga2O3(Fe)-n-GaAs0.6 P0.4 наноструктур
Author(s) -
D. Melebaev,
И Туджанова,
Т Пащыкова,
Сапармырат Туркменбаши
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «фотоника-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/rcsp2019-147
Subject(s) - materials science , analytical chemistry (journal) , chemistry , environmental chemistry
Широкозонное бинарное соединение оксид галлия Ga2O3 вызывает большой интерес в качественового материала для микро- и наноэлектроники и уже используется в ультрафиолетовой (УФ)нанофотоэлектронике [1,2].Настоящая работа посвящена исследованиям фоточувствительности (ФЧ) Au-Ga2O3(Fe)-nGaAs0.6P0.4 наноструктур в области энергии фотонов hν=1.5-6.1 eV с целью создания фотоприемниковУФ излучения, а так же определения ширины запрещенной зоны оксида Ga2O3 (Egox), легированногожелезом (Fe), и выяснению его влияния на спектр фототока барьеров Шоттки. Для изготовленияфотоприемников на основе n-GaAs0.6P0.4 использовалась технология, аналогичная описанной в [2].После химического травления смесью Br2(4%)+C2H5OH(96%) c последующей промывкой в этаноле,поверхность n-GaAs0.6P0.4 обрабатывалась этаноловым раствором бромида железа (FeBr2.6H2O).Наноструктуры Au-Ga2O3(Fe)-n-GaAs0.6P0.4 изготовлены методом химического осаждения.Присутствие атомов железа (Fe) в оксидном слое Ga2O3(Fe) было установлено с помощью растровогомикроскопа и фотоэлектрическим методом.Основные результаты проиллюстрированы на рис. а, б, в.В УФ области спектра обнаружены новые закономерности. В интервале 3.2-4.2 eV имеетсяучасток практически постоянной ФЧ (SI ≈ 0,15-0,18 A/Вт). На интервале 4.2-5.1 eV с увеличением hνФЧ уменьшается и при hν=5,1 eV наблюдается минимум ФЧ. На интервале 5.1-6.1 eV опятьпроисходит рост ФЧ с увеличением hν. При освещении hν>5 eV в GaAs0.6P0.4 МДП наноструктуреначинается процесс лавинного умножения носителей заряда и слой диэлектрика [Ga2O3(Fe)]участвует в создании дополнительного фототока.Зависимость фототока If0 в интервале 5.1-6.1 eV оказалась экспоненциальной. Это позволяет пометодике, описанной в [1], определить Egox оксида Ga2O3(Fe), образованного на поверхностиGaAs0.6P0.4 (рис.в). Таким образом, образование на поверхности n-GaAs0.6P0.4 нанооксидного слояжелеза Ga2O3(Fe), создает в наноструктуре Au-Ga2O3(Fe)-n-GaAs0.6P0.4 специфические свойства,имеющие важное научно-практическое значение (рис. б).