Влияние излучения видимого диапазона на проводимость тонких пленок одностенных углеродных нанотрубок

Тонкие пленки одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) являются перспективнымчувствительным материалом, для построения нового поколения широкого класса как фотоприемныхтак и химических и биосенсоров [1,2]. Сенсоры на основе ОУНТ обладают неоспоримымпреимуществом перед существующими, поскольку, в перспективе, могут обеспечить высокуючувствительность наряду с очень малым энергопотреблением, простотой технологии изготовления иработой при комнатной температуре. Сочетание этих качеств является основой для разработкипортативных сенсорных устройств для in-situ химического и биологического анализа. Ранее былопоказано, что электропроводность пленок ОУНТ является очень чувствительной к адсорбции NH3,CO, H2 и O2, при этом восстановление сенсора(десорбция аналита) может быть ускорено УФоблучением [3,4]. В данной работе исследоваласьпроводимость тонких пленок разупорядоченныхУНТ смешанного состава (металлического иполупроводникового типа проводимости).Одностенные углеродные нанотрубки былипредставлены фирмой OCSiAl (Новосибирск).Измерения проводились на круговых встречноштыревых структурах - КВШС (вставка на рис.1),изготовленных на окисленных кремниевыхподложках стандартными методами взрывнойфотолитографии по металлическому слою (Cr+Au).Слой ОУНТ наносился капельным методом израствора ОУНТ в N-метил-2-пирролидоне. ЗасветкаКВШС, с нанесенным на него слоем ОУНТпроизводилась лазерным излучением с тремяразличными длинами волн: 650, 532 и 405 нм исоответствующей мощностью 5, 45 и 10 мВт. Основной фотоэлектрический эффект наблюдался дляфиолетового излучения с длиной волны 405 нм.Ранее было показано, что при облучении УФ светом происходит десорбция кислорода споверхности нанотрубок.Фотоэлектрические процессы, исследованные в работе, могут быть использованы для полученияхарактеристик смешанных слоев, содержащих ОУНТ как металлического, так и полупроводниковоготипа проводимости. С практической точки зрения фотодесорбция, наблюдаемая при облучениипленок фиолетовым светом, может быть применена для ускоренного восстановления («очистки»)газового наносенсора. Полученные результаты, также, могут быть использованы при разработкеновых фотодетекторов и оптоэлектронных приборов.