Туннельный точечный контакт в терагерцовом поле

Изготовлены квантовые точечные контакты (QPC) в двумерном электронном газе гетероструктурGaAs/AlGaAs и выполнены измерения отклика туннельного кондактанса устройств на терагерцовоеоблучение [1] (рис.1,2). Поляризационные измерения (рис.2) показывают, что отклик зависит толькоот компоненты внешнего ВЧ поля E(ω), которая направлена вдоль тока в узком месте. Это позволяетсвести объяснение к численному решению одномерной задачи о фотон-ассистированномпрохождении через барьер U(x,t)≈ [V+Aсos(ωt)]/ch2(x/W). Для такого барьера давно предсказаны дваэффекта. Первый из них – гигантский рост коэффициента прохождения D частицы с начальнойэнергией E<V при низких и умеренных частотах [2-4] (вплоть до 0.7 ТГц для туннельного контакта сW≈100 нм в двумерном электронном газе GaAs/AlGaAs структур [4]). Второй эффект – это выход привысоких частотах на значение D0(E), отвечающее статическому барьеру [2,3]. В работе [1] впервыенаблюдались оба эффекта, а результаты моделирования мультифотонного прохождения электроначерез туннельный барьер в изготовленных структурах хорошо соответствуют измерениям на частотахf от 0.14 до 1.63 ТГц.