Измерение электрооптического эффекта в сверхрешетках InAlAs/ InGaAlAs ИКинтерферометрической методикой

Электрооптический модулятор является ключевым компонентом интегральной микроволновойфотоники (радиофотоники). Существуют успешные реализации модулятора, выполненные по схемеМаха-Цендера (интерферометрического типа) на платформе InP-совмещенных InAlGaAsPгетероструктур. Основными характеристиками InP- модуляторов являются полуволновоенапряжение, рабочая полоса частот, вносимые оптические потери, стабильность по температуре иположению рабочей точки. Основное их назначение - работа в полосе частот до сотен ГГц.Оптические волноводы в модуляторе формируются в виде области сверхрешеток, см.Рис1.Вследствие квантово-размерного эффекта Штарка в подобных гетеронаноструктурах с квантовымиямами InGaAs/GaAs происходит вполне достаточное изменение показателя преломления при подаченапряжения ~ 1 V.Мы предлагаем применять оптическую методику для непосредственного измерения скачкапоказателя преломления от прикладываемого напряжения на гетеростуктуру, которая вполне можетрассматриваться как составной многослойный интерферометр Фабри-Перо. Измерение R-отраженияпредлагается проводить в области угла Брюстера, при максимальном гашении отраженного луча,чтобы ЭО-эффект был заметен максимально. Используется p-поляризация .Таким образом, методика даёт прямое и непосредственное измерение скачка показателяпреломления, вследствие Штарк-электрооптического эффекта, на нужной, рабочей длине волнысвета. Методика позволяет отбраковывать и подбирать режимы технологии выращиваниягетероструктур с нужными для модулятора параметрами сверхрешеток, по числу слоёв, их составу итолщине.