
OBTENCIÓN DE UNA CONFIGURACIÓN DE CIRCUITO ELECTRÓNICO BASADO EN SEMICONDUCTORES III-V PARA APLICACIONES ALREDEDOR DE LA FRECUENCIA DE 20 MHz
Author(s) -
J. J. PríasBarragán,
Ana María Tamayo-Ocampo,
L. TiradoMejía,
Hernando Ariza Calderón
Publication year - 2012
Publication title -
revista de investigaciones universidad del quindio
Language(s) - Spanish
Resource type - Journals
eISSN - 2500-5782
pISSN - 1794-631X
DOI - 10.33975/riuq.vol23n1.415
Subject(s) - physics , humanities , art
En este trabajo se presenta la obtención de una configuración de circuito electrónico basado en GaSb, para una aplicación de filtro sintonizado alrededor de 20 MHz. Se implementó y automatizó la técnica de espectros-copia de amplitud y fase para el estudio de sistemas metal-semiconductor-metal, en un rango de frecuencia de medida comprendida desde 0.15 MHz hasta 60 MHz y un rango de amplitudes de voltaje comprendido desde 0 mV hasta 500 mV. Se hizo el estudio de diagramas de amplitud y fase en muestras de GaSb y GaSb/GaSb, encontrándose un estrecho pico de resonancia alrededor de 23 MHz, el cual fue modelado teóricamente mediante un circuito eléctrico equivalente basado en filtros sintonizados. A partir de este comportamiento eléctrico se diseñó e implementó una aplicación de circuito filtro, con una respuesta sintonizada alrededor de la frecuencia de 20 MHz.