z-logo
open-access-imgOpen Access
Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida
Author(s) -
Jose F Gómez,
Ana Patricia Cardona,
Marianela De-Los-Ríos,
Liliana Tirado-Trujillo,
Hernando Ariza Calderón
Publication year - 2009
Publication title -
revista de investigaciones universidad del quindio
Language(s) - Spanish
Resource type - Journals
eISSN - 2500-5782
pISSN - 1794-631X
DOI - 10.33975/riuq.vol19n1.770
Subject(s) - humanities , physics , philosophy
En este trabajo se muestran algunos resultados preliminares del proceso de crecimiento por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. Se describe el proceso de fabricación de la heteroestructura así como también se muestran los resultado obtenidos de su caracterización por Difracción de Rayos X (DRX) y Fotoluminiscencia (FL) los cuales evidencian el crecimiento epitaxial de la heteroestructura. 

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here