
Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida
Author(s) -
Jose F Gómez,
Ana Patricia Cardona,
Marianela De-Los-Ríos,
Liliana Tirado-Trujillo,
Hernando Ariza Calderón
Publication year - 2009
Publication title -
revista de investigaciones universidad del quindio
Language(s) - Spanish
Resource type - Journals
eISSN - 2500-5782
pISSN - 1794-631X
DOI - 10.33975/riuq.vol19n1.770
Subject(s) - humanities , physics , philosophy
En este trabajo se muestran algunos resultados preliminares del proceso de crecimiento por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. Se describe el proceso de fabricación de la heteroestructura así como también se muestran los resultado obtenidos de su caracterización por Difracción de Rayos X (DRX) y Fotoluminiscencia (FL) los cuales evidencian el crecimiento epitaxial de la heteroestructura.