Open AccessПовышение быстродействия прибора PHEMT на основе GaAs с помощью профилированного дельта-легирования оловом
Author(s) -
А.Э. Ячменев,
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Ран,
V. I. Ryzhiǐ,
P. P. Maltsev,
Московский технологический университет Кафедра наноэлектроники Физико-технологического института
Publication year - 2017
Publication title -
rossijskij tehnologičeskij žurnal/russian technological journal
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 2782-3210
pISSN - 2500-316X
DOI - 10.32362/2500-316x-2017-5-2-40-46
Subject(s) - high electron mobility transistor , materials science , optoelectronics , electrical engineering , engineering , transistor , voltage