Open AccessNano transistores de efecto de campo tipo aleta para aplicaciones digitales
Author(s) -
José Luis González-Vidal,
María Aurora Veloz-Rodríguez,
Iván Alonso Lira-Hernández,
Max García-Rivera,
Rosa Ángeles Vázquez-García,
Juan José Raygoza-Panduro
Publication year - 2021
Publication title -
pädi boletín científico de ciencias básicas e ingenierías del icbi
Language(s) - Spanish
Resource type - Journals
ISSN - 2007-6363
DOI - 10.29057/icbi.v9iespecial.7218
Subject(s) - humanities , physics , art
El objetivo de este trabajo es proporcionar a los estudiantes de electrónica, computación y áreas afines, un panorama de la construcción y funcionamiento de los transistores de efecto de campo de aleta (FinFET), los cuales son dispositivos extremadamente diminutos, con longitud de compuerta en el rango de los nanómetros, se fabrican con la técnica de silicio sobre aislante (SOI). Utilizando FinFETs tipo n y p se diseñaron los diagramas esquemáticos y las formas y dimensiones de los materiales utilizando un código de colores (layouts) de las compuertas lógicas básicas, este tipo de compuertas son la base para el diseño y construcción de la mayoría de los dispositivos digitales utilizados en los aparatos electrónicos modernos, principalmente los portátiles. Con los tamaños tan reducidos de los FinFET se fabrican todos los microprocesadores, los DSPs, las memorias, los chips de los teléfonos celulares y tabletas de las compañías electrónicas más importantes del mundo.