Open AccessModificación de la morfología de una superficie de silicio mediante el bombardeo con iones de oxigeno
Author(s) -
Angélica Torices Hernández,
Venkata Krishna Karthik Tangirala,
R. Asomoza-Palacio,
Yu. Kudriavtsev
Publication year - 2019
Publication title -
tepexi boletín científico de la escuela superior tepeji del río
Language(s) - Spanish
Resource type - Journals
ISSN - 2007-7629
DOI - 10.29057/estr.v6i11.3821
Subject(s) - physics
En este trabajo se realizó el estudio de la dinámica de formación de nanopatrones inducida mediante bombardeo iónico. El bombardeo se llevó a cabo sobre superficies de silicio (Si) a temperatura ambiente utilizando un haz de iones positivo de oxigeno diatómico (O2+). La energía del haz de iones utilizado fue de 2 keV y el ángulo de incidencia de 45°. La dosis de iones fue variada en el rango de 1.25x1018 iones/cm2 - 7.5 x1018 iones/cm2. Los resultados muestran que el régimen utilizado provoca la formación de estructuras nanométricas con forma piramidal. El patrón se comporta de acuerdo a los modelos lineales de formación de nano patrones.